化學(xué)氣相沉積（CVD）技術(shù)

化學(xué)氣相沉積是一項(xiàng)成熟的薄膜制備技術(shù)，其特點(diǎn)是通過氣態(tài)物質(zhì)在加熱基片表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，從而形成固態(tài)薄膜。HCVAC針對線材、光纖等特殊基材的碳化硅/氮化硅沉積需求，提供專業(yè)CVD工藝解決方案。

工藝特性

• 高溫環(huán)境：沉積過程需在500℃以上高溫環(huán)境中進(jìn)行，伴隨高能量輸入

• 真空保障：真空腔體既能降低材料熔點(diǎn)，又能避免副反應(yīng)發(fā)生，確保前驅(qū)體有效汽化

• 三維覆蓋：相較于PVD技術(shù)，CVD具備對復(fù)雜三維結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)均勻包覆的獨(dú)特優(yōu)勢

• 精密加工：該技術(shù)同樣適用于硅片表面微納結(jié)構(gòu)的精確制備

前驅(qū)體選擇
CVD工藝成功的關(guān)鍵在于選用合適的前驅(qū)體材料。例如：

• 氮化硅沉積采用氨氣與二氯硅烷作為前驅(qū)體

• 平板玻璃SnO?隔熱鍍膜選用氯化亞錫/有機(jī)錫化合物與氧氣/水蒸氣組合

• 所得SnO?涂層兼具隔熱效能與機(jī)械防護(hù)功能

工藝控制
基材表面狀態(tài)直接影響薄膜生長質(zhì)量。通過精確的工藝設(shè)計，可實(shí)現(xiàn)選區(qū)沉積（如僅在導(dǎo)電區(qū)而非絕緣區(qū)成膜），這種選擇性鍍膜特性使CVD與PECVD技術(shù)在微電子領(lǐng)域廣受青睞。

HCVAC設(shè)備特色

• 基片直觸電極，最高加熱溫度達(dá)1200℃

• 頂電極”淋浴頭”式氣體注入系統(tǒng)

• 配備固/液前驅(qū)體輸送系統(tǒng)，支持二維材料MOCVD、氧化鋅納米線等新型工藝

• 自動傳遞鎖腔可將樣品直接移載至預(yù)熱臺，大幅縮減升降溫周期

• 可選配等離子體增強(qiáng)功能，實(shí)現(xiàn)低溫沉積、等離子體輔助轉(zhuǎn)化/功能化及腔室清潔

• 單腔體兼容多種工藝路線

HCVAC依托具有價格競爭力的定制化設(shè)備，結(jié)合可集成于濺射鍍膜系統(tǒng)的CVD/PECVD工藝模塊，為客戶提供卓越的產(chǎn)品質(zhì)量、優(yōu)質(zhì)用戶體驗(yàn)與穩(wěn)定的組件性能。