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前沿技術(shù)
PVD Coating Technology
PVD Coating

PVD鍍膜技術(shù)

PVD(物理氣相沉積)是一種在真空環(huán)境下,利用物理方法將材料源(固體或液體)氣化成原子、分子或使其部分電離成離子,然后通過低壓氣體(或等離子體)過程,在基體(工件)表面沉積具有特定功能的薄膜的技術(shù)。PVD涂層綠色環(huán)保,廣泛應(yīng)用于工具與模具、裝飾與外觀、半導(dǎo)體與微電子、光學(xué)器件、汽車、航空、醫(yī)療等。

詳情
ALD Coating

ALD Coating Technology

Atomic layer deposition (ALD) is a technique used to deposit thin films one atomic layer at a time. This technology is highly precise and offers excellent control over the film thickness.

Details
CVD Coating

CVD Coating Technology

Chemical vapor deposition (CVD) is a process used to produce thin films through chemical reactions that occur when gas-phase precursors react on the substrate surface.

Details

HIPIMS

采用高功率脈沖等離子體技術(shù),獲得高電離率與致密均勻鍍層。

HIPIMS

PVD濺射

利用磁場增強(qiáng)等離子體,將靶材原子濺射到基片上。

Magnetron sputtering

PVD電弧蒸發(fā)

利用真空電弧使靶材蒸發(fā),使其以離子形式沉積于基片上。

Multiple Arcs

PVD電子束蒸發(fā)

利用高能電子束加熱并蒸發(fā)材料,實現(xiàn)薄膜沉積。

Electron beam evaporation

PVD熱蒸發(fā)

通過電阻加熱使材料蒸發(fā),從而形成薄膜。

evaporation

ALD沉積技術(shù)

原子層沉積(ALD)是一種能夠以單原子膜的形式逐層在基片表面沉積材料的方法,從而在具有復(fù)雜形貌的基片表面形成全覆蓋薄膜。

TALD

熱型原子層沉積(TALD)技術(shù)利用熱能,通過順序表面反應(yīng)在基體上逐層沉積原子層,從而實現(xiàn)對薄膜的精確控制。

PEALD

等離子體增強(qiáng)原子層沉積(PEALD)技術(shù)利用等離子體來增強(qiáng)原子層沉積過程中的化學(xué)反應(yīng),從而能夠在更低的溫度下進(jìn)行沉積,并兼容更廣泛的材料。

CVD鍍膜技術(shù)

化學(xué)氣相沉積(CVD)通過將反應(yīng)氣體通入腔室,使其在加熱的基片表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng)或分解,從而形成高純度、均勻的固態(tài)薄膜涂層。

ALD

原子層沉積(ALD)通過逐層沉積單原子層的方式,即便在復(fù)雜的三維結(jié)構(gòu)表面也能實現(xiàn)均勻、保形的薄膜覆蓋。

Atomic-layer-deposition

PECVD

等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)技術(shù)利用等離子體增強(qiáng)化學(xué)反應(yīng),從而能夠在較低溫度下實現(xiàn)薄膜沉積。

PECVD

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